[发明专利]半导体元件测试方法与半导体元件测试系统有效
| 申请号： | 201811632523.2 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN111381139B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 吕康;胡健;熊阳 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种用于预测PMOS元件NBTI寿命的半导体元件测试方法与半导体元件测试系统。半导体元件测试方法包括：提供多个相同的PMOS元件；在预设温度下对第n个所述PMOS元件的栅极多次施加时长不同的第n个预设负偏压，以获取多个预设负偏压下多个施压时长对应的所述PMOS元件的漏极饱和电流老化率；将多个所述漏极饱和电流老化率带入预设方程以确定所述预设方程的拟合结果，获取对应于施压值和施压时长的漏极饱和电流老化率变化曲线；根据所述漏极饱和电流老化率变化曲线确定所述PMOS元件在标准工作电压下漏极饱和电流老化率达到预设失效值时对应的时间。本公开提供的半导体元件测试方法可以提高测试PMOS元件NBTI寿命的效率和准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 测试 方法 系统 | ||
【主权项】：
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