[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811632614.6 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109979997A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 山口直 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78;H01L21/336;H01L27/1159 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。在具有在栅极电极和半导体基底之间的铁电膜的铁电存储器中，防止了栅极绝缘膜的介电击穿并且增强了铁电膜的极化性能，以提高半导体器件的性能。在包括场效应晶体管的存储器单元中，该场效应晶体管包括被形成在半导体基底上的控制栅极电极，在控制栅极电极和半导体基底的主表面之间，顺电膜和铁电膜通过依次堆叠在半导体基底的主表面上而被形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体基底 半导体器件 铁电膜 场效应晶体管 控制栅极电极 主表面 存储器单元 铁电存储器 栅极绝缘膜 极化性能 介电击穿 栅极电极 电膜 堆叠 制造 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体基底；在所述半导体基底上形成的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上形成的铁电膜；以及在所述铁电膜上形成的第一栅极电极；其中所述铁电膜包括第一氧化铪膜，以及其中所述第一绝缘膜具有比氮化硅的介电常数高的介电常数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811632614.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
