[发明专利]NOR FLASH器件结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种NOR FLASH器件结构，包括：FDSOI衬底，多个由浅沟槽场氧围绕的顶部半导体衬底形成的有源区，各有源区中形成有多个器件单元结构，各器件单元结构包括源区、漏区和栅极结构；底部半导体衬底中形成有第二导电类型掺杂的阱区，在各有源区的底部对应的阱区的顶部表面形成有由第二导电类型掺杂区组成的底部场板，在有源区外部区域中，阱区表面直接露出并在露出的阱区的表面形成有第二导电类型重掺杂的体引出区。通过在体引出区加电压实现各器件单元结构的阈值电压可调。本发明公开了一种NOR FLASH器件结构的制造方法。本发明能实现器件单元结构的阈值电压可调，能在高工艺节点下适用于多阈值电压的应用区间。

主权项

1.一种NOR FLASH器件结构，其特征在于，包括：由依次叠加的底部半导体衬底、绝缘埋层和顶部半导体衬底形成的FDSOI衬底；在所述FDSOI衬底上形成有浅沟槽场氧，所述浅沟槽场氧穿过所述顶部半导体衬底和所述绝缘埋层且所述浅沟槽场氧的底部进入到所述底部半导体衬底中；所述FDSOI衬底上形成有多个由所述浅沟槽场氧围绕的所述顶部半导体衬底形成的有源区；在各所述有源区中形成有NOR FLASH器件的多个器件单元结构；各所述器件单元结构包括源区、漏区和栅极结构；所述源区和所述漏区都具有第一导电类型重掺杂区，所述源区和所述漏区的结深等于所述顶部半导体衬底的厚度，所述源区和所述漏区之间的所述顶部半导体衬底组成全耗尽型的沟道区；所述栅极结构具有用于存储信息的浮栅；所述底部半导体衬底中形成有第二导电类型掺杂的阱区，在各所述有源区的底部对应的所述底部半导体衬底的所述阱区的顶部表面形成有由第二导电类型掺杂区组成的底部场板，所述底部场板的顶部表面和所述绝缘埋层的底部表面接触，所述底部场板的底部表面高于所述浅沟槽场氧的底部表面；在所述有源区外部区域中，所述底部半导体衬底的所述阱区表面直接露出并在露出的所述阱区的表面形成有体引出区，所述体引出区为第二导电类型重掺杂；通过在所述体引出区加电压并通过所述底部半导体衬底将电压传导到所述底部场板实现从底部对所述沟道区进行耗尽并从而实现各所述器件单元结构的阈值电压可调。