[发明专利]金属穿孔卷绕硅太阳能电池电极制备方法

摘要

本发明公开了金属穿孔卷绕硅太阳能电池电极制备方法，涉及硅太阳能电池工艺技术领域，能够在不影响正极点印刷效果前提下，降低激光打孔区漏浆几率的目的。从而提高了网版寿命、提高了产品品质。本发明将传统膜厚相同的MWT背面正极网版，设计为分区不同的膜厚，即正极区与激光打孔区的膜厚设计为不同厚度，维持正极区的膜厚不变增加激光打孔区的膜厚，在保证正极点印刷效果不变的情况下，达到降低激光打孔区漏浆几率的目的。

主权项

1.一种金属穿孔卷绕硅太阳能电池电极制备方法，其特征在于，包括：S1、采用太阳能级P型单晶或多晶硅片作为衬底，使用常学清洗和织构化方法对硅片进行制绒，形成绒面，绒面为光陷阱表面；S2、在硅片上激光开孔，孔洞为N×N的阵列，N为正整数；S3、在绒面上使用POCl₃扩散源进行高温单面扩散，形成PN结；S4、在硅片的绒面背表面，以孔洞为圆心，采用丝网印刷或喷墨打印法制备直径1‑10mm、厚度1‑50μm的圆形有机掩膜；S5、对硅片进行刻蚀，去除硅片周边及背面多余的PN结，清洗有机掩膜，去除扩散后衬底表面的磷硅玻璃；S6、对硅片使用PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 等离子体增强化学的气相沉积法）设备制备氮化硅减反膜，减反膜覆盖正电极及扩散面；S7、采用背银浆料，采用280目，线径32μm，纱厚64μm，正极区膜厚10μm，负极区膜厚20μm的分区不同膜厚设计的网版，丝网印刷金属穿孔卷绕硅太阳能电池背面正极；S8、采用金属穿孔卷绕硅太阳能电池填孔银浆，丝网印刷金属穿孔卷绕硅太阳能电池背面负极和堵孔；S9、在金属穿孔卷绕硅太阳能电池背面制备铝背场；S10、采用正面银浆，通过丝网印刷方式在硅片扩散面，即硅片正表面制备正电极；S11、在链式炉中进行烘干和烧结，形成正面电极欧姆接触及形成背电场。