[发明专利]基准电压电路以及半导体装置有效
| 申请号： | 201811633844.4 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN110134175B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 坂口薰 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及基准电压电路以及半导体装置。一种基准电压电路，具有串联连接的耗尽型MOS晶体管和增强型MOS晶体管，并从增强型MOS晶体管的漏极输出基准电压，耗尽型MOS晶体管和增强型MOS晶体管的栅极被共同连接在一起，其中，耗尽型MOS晶体管至少具有串联连接的第一耗尽型MOS晶体管和第二耗尽型MOS晶体管，该基准电压电路具有电容器，该电容器的一端与第一耗尽型MOS晶体管的漏极连接，另一端与第一耗尽型MOS晶体管的源极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 电压 电路 以及 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基准电压电路，其具有串联连接的耗尽型MOS晶体管和增强型MOS晶体管，并从所述增强型MOS晶体管的漏极输出基准电压，所述耗尽型MOS晶体管和所述增强型MOS晶体管的栅极被共同连接在一起，该基准电压电路的特征在于，所述耗尽型MOS晶体管至少由串联连接的第一耗尽型MOS晶体管和第二耗尽型MOS晶体管构成，该基准电压电路具有电容器，该电容器的一端与所述第一耗尽型MOS晶体管的漏极连接，另一端与所述第一耗尽型MOS晶体管的源极连接。
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