[发明专利]一种大功率射频芯片的竖立放置液冷散热结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201811634005.4 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN110010573B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 冯光建 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/473 | 分类号： | H01L23/473;H01L21/48 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大功率射频芯片的竖立放置液冷散热结构及其制作方法，包括散热结构、底座结构，底座结构上设置安置散热结构的安置槽和散热通道，散热通道均匀分布设置在安置槽一侧，安置槽和散热通道联通；散热结构包括第一圆柱形TSV孔、凹槽，第一圆柱形TSV孔与凹槽联通；第一圆柱形TSV孔与散热通道联通；本发明提供能够大大加强散热器跟射频模组互联的稳定性的一种大功率射频芯片的竖立放置液冷散热结构及其制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 射频 芯片 竖立 放置 散热 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种大功率射频芯片的竖立放置液冷散热结构，其特征在于，包括散热结构、底座结构，底座结构上设置安置散热结构的安置槽和散热通道，散热通道均匀分布设置在安置槽一侧，安置槽和散热通道联通；散热结构包括第一圆柱形TSV孔、凹槽，第一圆柱形TSV孔与凹槽联通；第一圆柱形TSV孔与散热通道联通。
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