[发明专利]基于气固界面电场优化的GIL绝缘子闪络电压提高方法在审

专利信息
申请号: 201811634875.1 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN109659102A 公开(公告)日: 2019-04-19
发明(设计)人: 杜伯学;冉昭玉;李进;梁虎成;傅明利;侯帅;景一;王泽华;刘浩梁 申请(专利权)人: 天津大学;南方电网科学研究院有限责任公司
主分类号: H01B19/04 分类号: H01B19/04
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 刘子文
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开一种基于气固界面电场优化的GIL绝缘子闪络电压提高方法。通过对环氧绝缘子进行表面分区,对其不同部位分别进行不同程度的氟化处理,在电场出现畸变的三结合点处,绝缘子的表面电导率大,从而改善电场分布,以提高绝缘子沿面闪络电压,提升其绝缘性能。
搜索关键词: 绝缘子 电场 绝缘子闪络 气固界面 沿面闪络电压 表面电导率 表面分区 电场分布 氟化处理 绝缘性能 结合点 畸变 环氧 优化
【主权项】:
1.基于气固界面电场优化的GIL绝缘子闪络电压提高方法,其特征在于,通过调控绝缘子氟化层厚度与表层电导分布,以优化电场分布,具体包括以下步骤:(1)自绝缘子的表面、高压电极以及气体侧的结合点处开始,将绝缘子表面分区为A、B、…、n个区域(n≥2);(2)隔离其他区域,仅让区域A暴露于N2/F2=4/1的混合气体中,温度25℃,氟化处理时间为tA,区域A氟化层厚度为dA;(3)隔离其他区域,仅让区域B暴露于N2/F2=4/1的混合气体中,温度25℃,氟化处理时间为tB,tA﹥tB;区域B氟化层厚度为dB,dA﹥dB;(4)以此类推,自绝缘子的表面、高压电极以及气体侧的结合点处开始的区域A、B、…,暴露于N2/F2=4/1的混合气体中的氟化处理时间tA﹥tB﹥…tn,氟化层厚度dA﹥dB﹥…dn;即可得到闪络电压提高的绝缘子。
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