[发明专利]半导体芯片的封装方法在审
| 申请号： | 201811635728.6 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109712901A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 陈雨雁;周炳;许新佳;夏凯;赵承杰 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 杨淑霞 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体芯片的封装方法，其包括如下步骤：S1、在接收半导体芯片的框架的封装区域涂覆结合材料；S2、将待封装的半导体芯片粘附在涂覆有结合材料的封装区域；S3、在结合材料未老化前，将半导体芯片及框架形成的封装体固定在超声装置上，在预设的超声频率下，进行超声处理；S4、超声处理后，对封装体进行压焊、模压处理；S5、将封装体进行烘烤处理，使结合材料老化，完成半导体芯片与框架的封装固定。本发明的半导体芯片的封装方法采用超声处理的方式有效去除了结合材料中以及界面间的气泡，不需要高温高压或真空装置，降低设备成本，提高了器件的可靠性，延长了器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 结合材料 封装 超声处理 封装体 封装区域 涂覆 老化 超声频率 超声装置 封装固定 高温高压 烘烤处理 降低设备 模压处理 使用寿命 真空装置 压焊 预设 粘附 去除 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片的封装方法，其特征在于，所述半导体芯片的封装方法包括如下步骤：S1、在接收半导体芯片的框架的封装区域涂覆结合材料；S2、将待封装的半导体芯片粘附在涂覆有结合材料的封装区域；S3、在结合材料未老化前，将半导体芯片及框架形成的封装体固定在超声装置上，在预设的超声频率下，进行超声处理；S4、超声处理后，对封装体进行压焊、模压处理；S5、将封装体进行烘烤处理，使结合材料老化，完成半导体芯片与框架的封装固定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
