[发明专利]一种微结构硅基光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811635787.3 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109786496A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 王延超;王稞;杨海贵;王笑夷;高劲松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 吴乃壮 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电探测技术，尤其涉及一种微结构硅基光电探测器。所述微结构硅基光电探测器，包括硅本征层、P型层、N型微结构层、环形P+型层、第一电极、第二电极、介质材料层和N+型硅衬底，所述P型层和环形P+型层均位于硅本征层的上表面，所述N型微结构层位于硅本征层下方，所述环形P+型层位于所述P型层的四周，第一电极位于所述P型层和P+型层的上方，第二电极位于N型微结构层的上方且位于硅本征层的四周，所述第二电极和硅本征层在N型微结构层的上方间隔设置，所述介质材料层位于N型微结构层的下方，所述N+型硅衬底位于介质材料层的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 微结构层 本征层 硅基光电探测器 介质材料层 第二电极 微结构 第一电极 硅衬底 光电探测 间隔设置 上表面 制备 | ||
【主权项】：
1.一种微结构硅基光电探测器，其特征在于，所述微结构基光电探测器包括硅本征层、P型层、N型微结构层、环形P+型层、第一电极、第二电极、介质材料层和N+型硅衬底，所述P型层和环形P+型层均位于硅本征层的上表面，所述N型微结构层位于硅本征层下方，所述环形P+型层位于所述P型层的四周，第一电极位于所述P型层和P+型层的上方，第二电极位于N型微结构层的上方且位于硅本征层的四周，所述第二电极和硅本征层在N型微结构层的上方间隔设置，所述介质材料层位于N型微结构层的下方，所述N+型硅衬底位于介质材料层的下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
