[发明专利]单模光纤与硅基光电子芯片端面的耦合封装结构及方法在审
申请号: | 201811635811.3 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN109613665A | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 赵恒;金里;何来胜;冯俊波 | 申请(专利权)人: | 联合微电子中心有限责任公司 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42;G02B6/255 |
代理公司: | 北京北汇律师事务所 11711 | 代理人: | 刘贺秋 |
地址: | 400032 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开了一种单模光纤与硅基光电子芯片端面的耦合封装结构及方法,该结构包括底板、硅基光电子芯片、光纤毛细管、高数值孔径光纤及单模光纤;高数值孔径光纤两端分别连接硅基光电子芯片和单模光纤,硅基光电子芯片和光纤毛细管固定于底板上;该方法包括:熔接和光纤毛细管设置步骤、台阶刻蚀和芯片固定步骤、耦合步骤、紫外胶填充步骤及固化步骤。与现有技术相比,本发明将高数值孔径光纤作为单模光纤与硅基光电子芯片的能量传播媒介,以彻底解决现有单模光纤与硅基光电子芯片端面耦合模斑失配的难题,本发明能够实现极小能量损耗的耦合,且具有稳定度高、耦合效率高以及易于封装等突出优点,具有广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 光电子芯片 硅基 单模光纤 高数值孔径 光纤毛细管 底板 耦合封装 光纤 传播媒介 端面耦合 光纤两端 芯片固定 耦合步骤 耦合效率 耦合 稳定度 小能量 紫外胶 刻蚀 模斑 熔接 失配 封装 固化 填充 应用 | ||
【主权项】:
1.单模光纤与硅基光电子芯片端面的耦合封装结构,其特征在于:该耦合封装结构包括底板(1)、硅基光电子芯片(2)、光纤毛细管(3)、高数值孔径光纤(4)及单模光纤(5);高数值孔径光纤(4)的两端分别为熔接端(41)和对准端(42),高数值孔径光纤(4)的熔接端(41)与单模光纤(5)的一端熔接,在高数值孔径光纤(4)的对准端(42)设置所述光纤毛细管(3),且所述高数值孔径光纤(4)的对准端(42)与硅基光电子芯片(2)端面耦合对准;底板(1)的上表面为台阶结构,所述台阶结构包括第一平面(11)、第二平面(12)及连接所述第一平面(11)和所述第二平面(12)的侧壁面(13),且第一平面(11)的高度大于第二平面(12)的高度,所述硅基光电子芯片(2)固定于所述第一平面(11)上,所述光纤毛细管(3)固定于所述第二平面(12)上。
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