[发明专利]垂直结构LED芯片及其制备方法有效
申请号: | 201811636723.5 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN109768137B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 封波 | 申请(专利权)人: | 晶能光电(江西)有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/38;H01L33/44;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 330096 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制备方法,其中,LED芯片中包括:支撑衬底;设于支撑衬底表面的键合金属层;设于键合金属层表面的反射金属层;设于反射金属层表面的用于制备电流阻挡层的阻挡层区域及用于制备p电极的电极区域;设于阻挡层区域和电极区域表面的外延结构;设于外延结构表面的n电极,n电极与阻挡层区域于垂直方向上相对设置,且n电极的边界不超过阻挡区域的边界;及设于外延结构表面除n电极区域及侧壁的钝化层,其制作工艺简单,出光效率高。 | ||
搜索关键词: | 垂直 结构 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种垂直结构LED芯片,其特征在于,包括:支撑衬底;设于所述支撑衬底表面的键合金属层;设于所述键合金属层表面的反射金属层;设于所述反射金属层表面的用于制备电流阻挡层的阻挡层区域及用于制备p电极的电极区域;设于所述阻挡层区域和电极区域表面的外延结构;设于所述外延结构表面的n电极,所述n电极与所述阻挡层区域于垂直方向上相对设置,且所述n电极的边界不超过阻挡区域的边界;及设于所述外延结构表面除n电极区域及侧壁的钝化层。
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