[发明专利]一种碳化硅二极管的制备方法及碳化硅二极管

摘要

本发明公开了一种碳化硅二极管的制备方法及由该制备方法制成的碳化硅二极管，该碳化硅二极管包括一碳化硅衬底(11)、一碳化硅外延层(12)、一图形化的场板介质层(16b)、一图形化的肖特基接触电极(17b)和一欧姆接触电极层(18)；碳化硅外延层(12)设置于碳化硅衬底(11)的正面；在碳化硅外延层(12)内且沿着碳化硅外延层(12)的上表面设置有图形化的离子注入区(15)；碳化硅外延层(12)的上表面设置有图形化的场板介质层(16b)，且碳化硅外延层(12)的上表面未图形化的场板介质层(16b)覆盖的区域设置有图形化的肖特基接触电极(17b)；图形化的场板介质层(16b)的上表面的部分区域被图形化的肖特基接触电极(17b)覆盖，其余区域裸露；欧姆接触电极层(18)设置于碳化硅衬底(11)的背面。

主权项

1.一种碳化硅二极管的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：S1：在碳化硅衬底(11)的正面形成一碳化硅外延层(12)；S2：在碳化硅外延层(12)的表面形成一离子注入掩膜层(13a)；S3：对离子注入掩膜层(13a)进行图形化处理，得到图形化的离子注入掩膜层(13b)，且碳化硅外延层(12)表面未被图形化的离子注入掩膜层(13b)覆盖的区域形成离子注入窗口(14)；S4：采用离子注入法经离子注入窗口(14)向碳化硅外延层(12)上表面注入离子，形成离子注入区(15)；S5：离子注入结束后将图形化的离子注入掩膜层(13b)剥离，然后进行高温退火处理；S6：高温退火处理后，在碳化硅外延层(12)表面形成一场板介质层(16a)；S7：对场板介质层(16a)进行图形化处理，得到图形化的场板介质层(16b)；S8：在图形化的场板介质层(16b)表面形成一肖特基接触电极层(17a)，且在碳化硅衬底(11)的背面形成一欧姆接触电极层(18)；S9：对肖特基接触电极层(17a)进行图形化处理，使得图形化的场板介质层(16b)表面的部分区域裸露，得到图形化的肖特基接触电极(17b)。