[发明专利]自组织锗硅纳米线量子点芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811638245.1 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109509787A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 李海欧;徐刚;王柯;曹刚;郭光灿;郭国平 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种自组织锗硅纳米线量子点芯片及其制备方法，包括：异质结基片，为非掺杂，所述异质结基片，由下至上包括：衬底；缓冲层，位于衬底上；纳米线，位于缓冲层上，呈条状顶层棚状团簇；以及盖帽层，覆盖所述缓冲层及纳米线上；源漏电极，位于所述异质结基片上，包括源电极及漏电极；所述源电极及漏电极对应设置于所述纳米线的两端的上方；绝缘层，覆盖所述源电极、漏电极以及盖帽层上；以及顶层分立栅极，包括第一分立栅极、第二分立栅极、第三分立栅极，以及分别与所述第一分立栅极、第二分立栅极以及第三分立栅极一端相连的外接大电极，通过分立电极的线宽和间距以及施加在电极电压的大小能够很好地控制量子点的大小和空穴载流子的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 分立 纳米线 缓冲层 量子点 漏电极 异质结 源电极 盖帽层 自组织 顶层 衬底 锗硅 制备 绝缘层 芯片 空穴载流子 电极电压 分立电极 源漏电极 大电极 非掺杂 覆盖 棚状 团簇 外接 施加 | ||
【主权项】：
1.一种自组织锗硅纳米线量子点芯片，包括：异质结基片，为非掺杂，所述异质结基片，由下至上包括：衬底(101)；缓冲层(102)，位于所述衬底(101)上；纳米线(103)，位于所述缓冲层(102)上，呈条状顶层棚状团簇；以及盖帽层(104)，覆盖所述缓冲层(102)及纳米线(103)上；源漏电极，位于所述异质结基片上，包括源电极(401)及漏电极(402)；所述源电极(401)及漏电极(402)对应设置于所述纳米线(103)的两端的上方；绝缘层(500)，覆盖所述源电极(401)、漏电极(402)以及盖帽层(104)上；以及顶层分立栅极，包括第一分立栅极(601)、第二分立栅极(602)、第三分立栅极(603)，以及分别与所述第一分立栅极(601)、第二分立栅极(602)以及第三分立栅极(603)一端相连的外接大电极(600)。
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