[发明专利]太阳能电池片的双面率异常分析方法有效
申请号: | 201811638818.0 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN109712905B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 姚铮;吴华德;吴坚;熊光涌;蒋方丹;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 胡彭年 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种太阳能电池片的双面率异常分析方法,收集数据并统计形成数据库;测试获取异常电池片各特定参数的测试值,并从数据库中获取该异常电池片所述效率档位对应的各特定参数的特征值计算;再将双面率偏差分解为若干差异项,建立算式,计算得到各差异项影响该异常电池片双面率偏差的权重。本发明双面率异常分析方法能够得到对应不同特定参数的差异项影响异常电池片双面率偏差的权重,方便对主要的材料、工艺因素进行优先排查,更快地找出前述异常电池片的发生双面率偏差的原因,有助于现场对电池片双面率指标的监控,保证产品质量。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 双面 异常 分析 方法 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池片的双面率异常分析方法,其特征在于:收集不同效率档位电池片的测试数据,统计得到各效率档位对应的双面率的特征值以及特定参数的特征值,形成数据库;对异常电池片进行测试,获得该异常电池片的各特定参数的测试值,所述异常电池片是指双面率偏差超过既定阈值的电池片,其中,双面率偏差有:为该异常电池片的双面率,为数据库中该异常电池片所属效率档位对应的电池片双面率的特征值;根据所述异常电池片所属效率档位,从数据库中获取该效率档位对应的各特定参数的特征值;将双面率偏差分解为若干分别对应不同特定参数的差异项,针对各差异项建立相应的算式,对比各差异项的计算结果,得到各差异项影响该异常电池片双面率偏差的权重。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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