[发明专利]沟槽型IGBT及其制备方法有效
| 申请号： | 201811639334.8 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN111384149B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 朱辉;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 张美君 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了沟槽型IGBT及其制备方法，该沟槽型IGBT包括外延层和有源区，有源区从外延层的上表面向外延层中延伸，且包括至少一个元胞，每个所述元胞包括：第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽；第一栅氧化层、第二栅氧化层和第三栅氧化层；第一栅极、第二栅极和第三栅极；第一分栅和第二分栅；第一浅阱区和第二浅阱区；第一接触区和第二接触区；第一发射极和第二发射极；间隔设置的第一绝缘介质层和第二绝缘介质层；深阱区，其中，深阱区的深度大于第一浅阱区和第二浅阱区的深度。该沟槽型IGBT具有较小的密勒电容和较好的开关特性的同时，反向耐压能力较好，EAS能力较好，且导通损耗较低。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 igbt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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