[发明专利]亚微米流道微流控芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201811639484.9 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109590037B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 段学欣;刘建涛;韩子钰;陈雪娇;刘展宁 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 | 代理人： | 韩登营;曲芳兵 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种亚微米流道微流控芯片的制作方法，包括步骤：A、在一基底上沉积用作底电极的金属钼；并刻蚀出指定形状的底电极；B、在底电极上沉积覆盖整个基底的氮化铝薄膜；C、在氮化铝薄膜上沉积覆盖整个基底的PSG，并利用反应离子刻蚀方法刻蚀PSG以刻蚀出流道的形状，将刻蚀后剩余的PSG作为流道牺牲层；D、在流道牺牲层上沉积覆盖整个基底的氮化铝薄膜；并在其上沉积用作顶电极的金属钼；并刻蚀出指定形状的顶电极；E、在顶电极上沉积覆盖整个基底的氮化铝薄膜作为流道结构层，并在其上刻蚀出流道出入口；G、利用氢氟酸溶液释放流道牺牲层，以获取亚微米流道微流控芯片；其中，顶电极与底电极成对设置，且均与流道牺牲层重叠设置。由上，本申请可以实现精准地制备目标亚微米流道微流控芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 微米 流道微流控 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种亚微米流道微流控芯片的制作方法，其特征在于，包括步骤：A、在一基底上沉积用作底电极的金属钼；并刻蚀出指定形状的底电极；B、在所述底电极上沉积覆盖整个基底的氮化铝薄膜；C、在所述氮化铝薄膜上沉积覆盖整个基底的PSG，并利用反应离子刻蚀方法刻蚀PSG以刻蚀出流道的形状，将刻蚀后的PSG作为流道牺牲层；D、在所述流道牺牲层上沉积覆盖整个基底的氮化铝薄膜；并在其上沉积用作顶电极的金属钼；并刻蚀出指定形状的顶电极；E、在所述顶电极上沉积覆盖整个基底的氮化铝薄膜作为流道结构层，并在其上刻蚀出流道出入口；G、利用氢氟酸溶液释放所述流道牺牲层，以获取亚微米流道微流控芯片；其中，所述顶电极与所述底电极成对设置，且均与所述流道牺牲层重叠设置。
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