[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
申请号: | 201811639998.4 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN111383920A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 张海洋;陈卓凡;刘思旸 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高静;李丽 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,所述基底包括衬底和位于所述衬底上的图形定义层;对所述图形定义层的多个位置同时进行掺杂离子,或者依次对所述图形定义层的多个位置进行掺杂离子,形成金属阻断层,所述金属阻断层的刻蚀难度大于所述图形定义层的刻蚀难度;去除未掺杂离子的所述图形定义层;以所述金属阻断层为掩膜刻蚀所述衬底,在所述衬底中形成多个衬底凹槽以及位于衬底凹槽之间的衬底隔层。后续制程中,在所述衬底凹槽中填充导电材料,所述衬底隔层使得各个衬底凹槽中导电材料不易相接触,实现了器件的隔离,优化了半导体结构的电学性能。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造