[发明专利]晶体生长用双层坩埚及晶体生长工艺在审
| 申请号： | 201811640510.X | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109576777A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 赵有文;段满龙 | 申请（专利权）人： | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/10 | 分类号： | C30B11/10;C30B29/40 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 闫有幸;杨焕军 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市香洲*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体生长用双层坩埚，涉及晶体生长技术领域，该双层坩埚包括用于放置原材料的上坩埚与用于晶体生长的下坩埚；所述上坩埚设置在所述下坩埚的上方，上坩埚底部外周与下坩埚开口外周密封连接；所述上坩埚底面设置有通向所述下坩埚的漏料孔；所述上坩埚与下坩埚均为热解氮化硼坩埚。在VB法生长磷化铟材料过程中的应用，采用双层坩埚结构，以及使用该双层坩埚的晶体生长工艺，能够使磷化铟多晶原料与掺杂剂S充分均匀的混合，缩小了生长出S‑InP单晶的载流子浓度范围，单根晶体纵向载流子浓度偏差可以控制在(3‑6)x1018/cm3，获得了高质量、高均匀性的晶体，并且单晶的出片率提高了5％。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 双层坩埚 晶体生长 载流子 晶体生长工艺 单晶 热解氮化硼坩埚 晶体生长技术 磷化铟材料 单根晶体 多晶原料 高均匀性 开口外周 密封连接 浓度偏差 坩埚底面 生长 掺杂剂 出片率 磷化铟 漏料孔 外周 应用 | ||
【主权项】：
1.一种晶体生长用双层坩埚，其特征在于，包括用于放置原材料的上坩埚与用于晶体生长的下坩埚；所述上坩埚设置在所述下坩埚的上方，上坩埚底部外周与下坩埚开口外周密封连接；所述上坩埚底面设置有通向所述下坩埚的漏料孔；所述上坩埚与下坩埚均为热解氮化硼坩埚。
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