[发明专利]一种薄膜及其制备方法和发光二极管有效
申请号: | 201811643195.6 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN111384275B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 苏亮;谢相伟 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种薄膜及其制备方法和发光二极管,所述方法包括:提供PEDOT:PSS溶液,将含羟基的有机物与PEDOT:PSS溶液混合,使有机物中的羟基脱出质子并对PEDOT:PSS进行质子化掺杂,形成质子化掺杂的PEDOT:PSS溶液,将质子化掺杂的PEDOT:PSS制备成膜,其中,所述有机物的偶极矩小于3德拜;或者,提供PEDOT:PSS薄膜,将含羟基的有机物沉积在PEDOT:PSS薄膜表面,使有机物中的羟基脱出质子并对PEDOT:PSS进行质子化掺杂,形成质子化掺杂的PEDOT:PSS薄膜,其中,所述有机物的偶极矩小于3德拜。本发明解决了现有技术制备的PEDOT:PSS薄膜导电性能不佳的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 及其 制备 方法 发光二极管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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