[发明专利]一种光探测器和光探测器的制作方法在审
| 申请号： | 201811643499.2 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109817730A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 孙思维 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光探测器和光探测器的制作方法。该光探测器，包括：衬底，以及沿入射光传播方向依次同层设置在所述衬底上的无源波导区、吸收区和反射光栅区；无源波导区用于将光耦合至所述吸收区，反射光栅区用于将未被所述吸收区吸收的光反射回所述吸收区，通过本发明的光探测器，利用反射光栅区将未被吸收区吸收的光信号反射到吸收区，进行二次吸收，提高光探测器对光信号的吸收能力，从而能够实现光探测器对光信号的高响应度。 | ||
| 搜索关键词： | 光探测器 吸收区 反射光栅 无源波导区 衬底 光信号反射 传播方向 二次吸收 同层设置 吸收能力 高响应 光反射 光耦合 入射光 吸收 制作 | ||
【主权项】：
1.一种光探测器，其特征在于，包括：衬底，以及沿入射光传播方向依次同层设置在所述衬底上的无源波导区、吸收区和反射光栅区；所述无源波导区用于将所述入射光耦合至所述吸收区；所述反射光栅区用于将未被所述吸收区吸收的所述入射光反射回所述吸收区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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