[发明专利]场效应晶体管的制作方法、场效应晶体管及栅极结构有效
| 申请号： | 201811643910.6 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN111384160B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 张焕云;吴健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种场效应晶体管的制作方法、场效应晶体管及栅极结构，增加了沟道长度，以实现栅极对沟道控制能力的进一步提升。该制作方法包括：提供半导体衬底，至少一部分半导体衬底表面被配置为场效应晶体管的沟道区域，沟道区域上覆盖有伪栅介质层，沟道区域两侧的伪栅介质层上还布置有相对设置的侧墙；刻蚀伪栅介质层，使伪栅介质层沿水平方向凹入侧墙的内侧壁；在沟道区域上形成覆盖伪栅介质层和侧墙内侧壁的栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制作方法 栅极 结构 | ||
【主权项】：
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