[发明专利]一种存储器电路、自适应负电压写辅助控制方法及芯片有效
| 申请号： | 201811644062.0 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109801656B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 姚其爽 | 申请（专利权）人： | 成都海光集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C11/412 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 汤陈龙;李丽 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请提供一种存储器电路、自适应负电压写辅助控制方法及芯片，存储器电路包括：存储阵列；与存储阵列连接的负电压写辅助电路，用于根据负电压写使能信号的状态，调整向位线对施加的负电压的工作状态；与负电压写辅助电路连接，向负电压写辅助电路传输负电压写使能信号的负电压写使能信号自适应控制电路；负电压写使能信号自适应控制电路包括：复制存储阵列，复制存储阵列为存储阵列的复制结构；负电压写辅助电路用于，检测复制存储阵列的写数据情况，根据检测的写数据情况，调整负电压写使能信号的状态，以通过不同状态的负电压写使能信号，控制负电压写辅助电路调整负电压的工作状态。本申请可提升存储器写成功率，并降低存储器的功耗开销。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 电路 自适应 电压 辅助 控制 方法 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种存储器电路，其特征在于，包括：存储阵列；与所述存储阵列连接的负电压写辅助电路；所述负电压写辅助电路用于，根据负电压写使能信号的状态，调整向所述存储阵列的位线对施加的负电压的工作状态；与所述负电压写辅助电路连接，并向所述负电压写辅助电路传输负电压写使能信号的负电压写使能信号自适应控制电路；所述负电压写使能信号自适应控制电路包括：复制存储阵列，所述复制存储阵列为所述存储阵列的复制结构；其中，所述负电压写辅助电路用于，检测所述复制存储阵列的写数据情况，根据检测的写数据情况，调整负电压写使能信号的状态，以通过不同状态的负电压写使能信号，控制所述负电压写辅助电路调整所述负电压的工作状态。
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