[发明专利]氮化镓晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201811644313.5 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109860023A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 李东昇;丁海生;胡益培;赵刚 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市杭州经*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了氮化镓晶体管及其制造方法。该方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成成核层；以及在所述成核层上形成外延层，所述外延层用于形成晶体管，其中，所述外延层为III‑V族化合物层，所述成核层通过氩离子溅射高温气相沉积工艺形成，并且包含与所述外延层相同的第一元素。该氮化镓晶体管采用包含与外延层相应元素的成核层提高晶体管的可靠性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 成核层 氮化镓晶体管 晶体管 衬底 高温气 氩离子 沉积 溅射 良率 制造 申请 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓晶体管的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成成核层；以及在所述成核层上形成外延层，所述外延层用于形成晶体管，其中，所述外延层为III‑V族化合物层，所述成核层通过氩离子溅射高温气相沉积工艺形成，并且包含与所述外延层相同的第一元素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
