[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811644421.2 | 申请日： | 2018-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111384164B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 钱洪途;韩啸 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底；位于衬底一侧的多层半导体层，多层半导体层包括依次位于衬底一侧的缓冲层、沟道层和势垒层；位于多层半导体层远离衬底一侧的源极、栅极和漏极，栅极位于源极和漏极之间；位于多层半导体层中且位于漏极远离栅极一侧的P型材料层，P型材料层的下表面延伸至缓冲层靠近沟道层一侧表面或者延伸至缓冲层内部，且P型材料层与漏极电连接。通过设置P型材料层与漏极电连接，在正向偏压下P型材料层向缓冲层注入空穴，中和缓冲层中因晶格缺陷或掺杂所致陷阱束缚的电子，提高电子从缓冲层脱离的速度，提升半导体器件的饱和电流，降低半导体器件的动态导通电阻，提升半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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