[发明专利]一种大尺寸薄片磷化铟晶片的线切割加工方法在审
| 申请号： | 201811645594.6 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109760221A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏;段满龙 | 申请（专利权）人： | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D7/00;B28D7/04 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 闫有幸;杨焕军 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市香洲*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种大尺寸薄片磷化铟晶片的线切割加工方法，包括以下步骤：(1)石墨支撑件上加工一个与晶体外缘形状适应并对晶体外缘形成半包围状态的晶体放置槽；(2)在晶体与石墨支撑件的配合面间均匀涂抹胶层，将晶体粘在石墨支撑件上；(3)所述胶层干燥后，对晶体进行线切割加工，得到晶片。本发明解决了大尺寸磷化铟晶圆在线切割工艺中的破片问题，使薄片磷化铟晶片的加工破损率降低，提高效率、进一步降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 磷化铟晶片 石墨支撑件 线切割加工 尺寸薄片 胶层 均匀涂抹 外缘形状 在线切割 半包围 放置槽 磷化铟 配合面 破损率 晶片 晶圆 破片 加工 | ||
【主权项】：
1.一种大尺寸薄片磷化铟晶片的线切割加工方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)石墨支撑件上加工一个与晶体外缘形状适应并对晶体外缘形成半包围状态的晶体放置槽；(2)在晶体与石墨支撑件的配合面间均匀涂抹胶层，将晶体粘在石墨支撑件上；(3)所述胶层干燥后，对晶体进行线切割加工，得到晶片。
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