[发明专利]一种半导体激光芯片制造方法在审
| 申请号： | 201811645608.4 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109672088A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 仇伯仓 | 申请（专利权）人： | 江西德瑞光电技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/223 | 分类号： | H01S5/223 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人： | 刘凌峰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种半导体激光芯片制造方法，其制作方法包括，1)、生长衬底依次外延生长为N型包层材料、次波导、主波导、P型包层材料；2)、利用次波导材料的折射率大于包层材料的折射率，次波导对光的空间限制强度弱于主波导，这里一个波导对光的空间限制强度被定义为： |
||
| 搜索关键词： | 波导 半导体激光芯片 空间限制 主波导 高功率半导体激光器 折射率大于包层 光波导方向 波导材料 传播常数 外延生长 逐渐变薄 光波导 光模式 折射率 衬底 光场 减小 刻蚀 制造 生长 加深 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光芯片制造方法，其特征在于，所述制作方法包括：1)、生长衬底依次外延生长为N型包层材料、次波导、主波导、P型包层材料；2)、利用次波导材料的折射率大于包层材料的折射率，次波导对光的空间限制强度弱于主波导，这里一个波导对光的空间限制强度被定义为：![]()
式中，λ0为光在真空中的波长，n1为波导核材料的折射率，n2为波导包层材料的折射率，d为波导核材料层的厚度；3)、沿光波导方向，波导刻蚀深度逐渐变化，光波导中光模式的传播常数相应减小，从而迫使部分光场向次波导转移。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西德瑞光电技术有限责任公司，未经江西德瑞光电技术有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811645608.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：垂直腔面发射激光器及其制作方法
- 下一篇：火花塞
