[发明专利]一种含有苯并呋喃或苯并噻吩结构的间位取代的吡嗪化合物在审

专利信息
申请号: 201811646544.X 申请日: 2018-12-30
公开(公告)号: CN109535141A 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 刘九州;李文毅;马腾达;黄达 申请(专利权)人: 浙江工业大学;瑞声光电科技(常州)有限公司
主分类号: C07D405/14 分类号: C07D405/14;C07D471/04;C07D409/14;C09K11/06;H01L51/54
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310014*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明属于有机电致发光材料领域,公开了一种间位取代的吡嗪衍生物及其应用。本发明所公开化合物具有通式(I)所示的结构。其中,化合物的内层为吡嗪基团,其具有良好电子传输能力;在吡嗪的2、6位上所连接的咔唑或咔啉基团,具有良好的空穴传输能力;吡嗪基团和咔唑或咔啉基团以外的外层基团,用于调节化合物的电子和空穴传输能力。本发明的化合物通过吡嗪基团和咔唑/咔啉基团的嵌套组合,改善了电子和空穴在化合物内部的传输性能。同时,化合物的玻璃化温度和三重态能级较高,因而非常适合用于磷光主体材料。
搜索关键词: 吡嗪基团 咔唑 咔啉 空穴传输能力 有机电致发光材料 空穴 嵌套 电子传输能力 磷光主体材料 调节化合物 公开化合物 三重态能级 吡嗪化合物 吡嗪衍生物 苯并呋喃 苯并噻吩 传输性能 间位取代 玻璃化 内层 种间 吡嗪 应用
【主权项】:
1.一种含有苯并呋喃或苯并噻吩结构的间位取代的吡嗪化合物,其特征在于,具有通式(I)所示的结构:其中,N1‑N8各自独立地表示N原子或CRy,且所述Ry表示氢原子、氘原子、卤素原子、C1‑C24烷基、C1‑C24烷氧基、C2‑C24烷胺基、C6‑C72芳基、C6‑C72芳氧基、C7‑C72芳胺基、C3‑C72杂芳基、C3‑C72杂芳氧基或C4‑C72杂芳胺基;R1、R2各自独立地表示氢原子、氘原子、卤素原子、C1‑C24烷基、C1‑C24烷氧基、C2‑C24烷胺基、C6‑C72芳基、C6‑C72芳氧基、C7‑C72芳胺基、C3‑C72杂芳基、C3‑C72杂芳氧基或C4‑C72杂芳胺基;并且R1、R2至少有一个表示通式(II)所示的基团:其中,X表示氧原子或硫原子,R3表示氢原子、氘原子、氟原子、C1‑C24烷基、C1‑C24烷氧基、C6‑C72芳基、C6‑C72芳氧基、C3‑C36烷硅基或C18‑C36芳硅基。
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