[发明专利]一种稀土元素改性的宽温薄膜储能电容器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811647436.4 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109545548B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 刘明;孙梓雄 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/33;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/54;C23C14/58;C30B23/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及储能薄膜材料领域，公开了一种稀土元素改性的宽温薄膜储能电容器及其制备方法；该制备方法在高温、高氧压环境下，利用超高真空射频磁控溅射技术，通过等离子体对靶材轰击，使靶材粒子沉积在基片上，并实现外延生长，得到BHT外延薄膜。因射频磁控溅射技术的特点，本身薄膜的生长速度较慢，使得通过该方法制备出的薄膜晶粒尺寸均匀，薄膜表面平整，结晶度好，结合BaZr |
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| 搜索关键词： | 一种 稀土元素 改性 薄膜 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种稀土元素改性的宽温薄膜储能电容器的制备方法，其特征在于，利用磁控溅射方法制备所述稀土元素改性的宽温薄膜储能电容器，包括以下步骤：步骤(1)，将BaHf0.17Ti0.83O3陶瓷作为靶材，将靶材和基片安装到位；步骤(2)，预处理基片；步骤(3)，预溅射BaHf0.17Ti0.83O3陶瓷靶材；步骤(4)，溅射BaHf0.17Ti0.83O3陶瓷靶材，使BaHf0.17Ti0.83O3陶瓷靶材在基片上进行外延薄膜生长，生成的薄膜厚度为350nm‑450nm；步骤(5)，对步骤(4)生成的薄膜进行退火处理，得到稀土元素改性的宽温薄膜储能电容器。
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