[发明专利]一种三维网状结构SiO2有效

专利信息
申请号: 201811647600.1 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN109755521B 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 李星星;石珉滈;王志勇;阳逍逍;邵浩明;余梦泽;皮涛;黄越华 申请(专利权)人: 湖南中科星城石墨有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/485;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00
代理公司: 长沙中科启明知识产权代理事务所(普通合伙) 43226 代理人: 匡治兵
地址: 410600 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明提供了一种三维网状结构纳米SiO2/C复合材料的制备方法,包括以下步骤:称取高分子聚合物、硅烷化试剂、表面活性剂加入稀盐酸中,均匀混合,然后加入过氧化二异丙苯,再搅拌加热、静置、过滤、水洗、真空干燥,得到交联硅烷化试剂修饰的高分子聚合物。然后将交联硅烷化试剂修饰的高分子聚合物放入炭化炉碳化,得到具有三维网状结构纳米SiO2/C复合材料。本发明方法制备工艺简单,成本低廉,环境友好,适用于大规模生产。
搜索关键词: 一种 三维 网状结构 sio base sub
【主权项】:
1.一种三维网状结构纳米SiO2/C复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:分别称取高分子聚合物、硅烷化试剂、表面活性剂加入装有稀盐酸溶剂的三口烧瓶中,均匀混合,然后加入过氧化二异丙苯,在80‑120℃条件下搅拌加热20‑24h,然后静置、过滤、水洗、真空干燥,得到交联硅烷化试剂修饰的高分子聚合物;S2:取步骤S1制备的交联硅烷化试剂修饰的高分子聚合物放入炭化炉中,以一定升温速度升温到一定温度,保温数小时,得到具有三维网状结构纳米SiO2/C复合材料。
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