[发明专利]基于等离子体结构的模式转换及复用器有效
| 申请号： | 201811652744.6 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109445026B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 邱英;陶金;武霖;贺志学;李响 | 申请（专利权）人： | 武汉邮电科学研究院有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/122 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 王维 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于等离子体结构的模式转换及复用器，涉及光通信的集成光学领域，包括：二氧化硅基底。金属层，其沉积在二氧化硅基底上。聚合物波导层，其沉积在金属层上，包括，第一耦合波导，其包括第一输入端和第一输出端。第一输入波导，其与第一输入端相连。第一输入耦合器，其设置在第一输入波导上。第二耦合波导，其与第一耦合波导间隔设置，包括第二输入端和第二输出端。第二输入波导，其与第二输入端相连。第二输入耦合器，其设置在第二输入波导上。宽波导，其与第二输出端相连，用于传输从第一耦合波导中转换成模式为高阶模的光和第二耦合波导内模式为基模的光。本发明中的基于等离子体结构的模式转换及复用器尺寸小，工作范围宽。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 等离子体 结构 模式 转换 复用器 | ||
【主权项】：
1.一种基于等离子体结构的模式转换及复用器，其特征在于，包括：二氧化硅基底；金属层，其沉积在所述二氧化硅基底上；以及聚合物波导层，其沉积在所述金属层上，所述聚合物波导层包括，‑第一耦合波导，其包括第一输入端和第一输出端，所述第一耦合波导的宽度沿着所述第一输入端到第一输出端的方向逐渐减小；‑第一输入波导，其与所述第一输入端相连；‑第一输入耦合器，其设置在所述第一输入波导上，所述第一输入耦合器用于将片外的激光耦合成模式为基模的光，再由所述第一输入波导传输至所述第一耦合波导；‑第二耦合波导，其与所述第一耦合波导间隔设置，所述第二耦合波导包括第二输入端和第二输出端，所述第二耦合波导的宽度沿着所述第二输入端到第二输出端的方向逐渐变大；且所述第二耦合波导与所述第一耦合波导形成的耦合区用于将所述第一耦合波导内模式为基模的光转换成模式为高阶模的光；‑第二输入波导，其与所述第二输入端相连；‑第二输入耦合器，其设置在所述第二输入波导上，所述第二输入耦合器用于将片外的激光耦合成模式为基模的光，再由所述第二输入波导传输至所述第二耦合波导；‑宽波导，其与所述第二输出端相连，所述宽波导用于传输从所述第一耦合波导中转换成模式为高阶模的光以及所述第二耦合波导内模式为基模的光。
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