[发明专利]一种原位生长Al等离激元提高AlGaN基PIN型探测器性能的方法

摘要

本发明公开了一种原位生长Al等离激元提高AlGaN基PIN型探测器性能的方法，属于半导体技术领域。本方法主要解决了现有技术手段难以将Al等离激元制备到PIN结构AlGaN探测器本征吸收层，无法实现PIN结构AlGaN基紫外探测器增强的问题。该方法包括在衬底上生长AlN模板层；在AlN模板层上生长n‑AlGaN外延层；在n‑AlGaN外延层上生长含有Al纳米颗粒的i‑AlGaN外延层等步骤。本发明充分利用Al等离激元对AlGaN探测器性能的增强作用，在难以提高AlGaN材料质量的情况下，为高灵敏度AlGaN紫外探测器的实现提供了新途径，而且工艺简单，结构新颖，可大面积应用，具有广阔的应用前景。

主权项

1.一种原位生长Al等离激元提高AlGaN基PIN型探测器性能的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、在衬底上生长AlN模板层；步骤二、在AlN模板层上生长n‑AlGaN外延层；步骤三、在n‑AlGaN外延层上生长含有Al纳米颗粒的i‑AlGaN外延层；步骤四、在i‑AlGaN外延层上生长p‑AlGaN外延层，完成器件结构生长；步骤五、利用光刻技术获得探测器的掩膜图形，利用刻蚀技术做出器件台面；步骤六、通过真空蒸发技术制备金属电极；步骤七、利用Lift Off技术去除多余金属，获得探测器结构；步骤八、电极退火，完成探测器制备。