[发明专利]一种改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法

摘要

本发明公开一种改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法，工艺中通过加强扩散工艺中预氧化步骤提高二氧化硅膜的厚度，同时增加第二步推进且通入POCl₃来改善太阳能电池片内方阻均匀。由于磷元素在二氧化硅中扩散速度要慢于硅，因此提高二氧化硅膜的厚度可降低磷在硅中的推进深度，使磷可以更均匀得扩散进硅片内部，同时增加第二步推进并通入POCl₃可弥补因扩散炉内气体紊流造成的磷源分布不均导致的片内方阻不均。采用本发明的方法生产出的太阳能电池片的方阻均匀性更好，PN结更加平整且结深更浅，一定程度上可提高太阳能电池的转换效率。

主权项

1.一种改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法，其特征在于包括如下步骤：⑴将硅片放入扩散炉中，同时在750‑800℃下通入2000‑3000sccm的氧气10‑19min；⑵向炉内通入1000‑2000sccm的且混合POCl₃的氮气，同时通入1000‑1500sccm的氧气和15000‑20000sccm的氮气，扩散炉温度为750‑800℃，时间为15‑20min；⑶停止通入氧气、氮气和POCl₃，并在10‑15min内将扩散炉温度提升至830‑850℃，使硅片表面的磷元素向硅片内部推进；⑷向扩散炉内通入500‑1000sccm的且混合POCl₃的氮气，同时通入1500‑2000sccm的氧气和15000‑20000sccm的氮气，保持扩散炉的炉内温度为840‑860℃，反应时间为10‑14min；⑸扩散炉停止加热并通入2000‑3000sccm的氧气和15000‑20000sccm的氮气，通气时间为10‑15min；⑹将扩散炉温度降至800℃以下，保持通入15000‑20000sccm的氮气，将硅片从扩散炉取出并测其方阻待用。