[实用新型]差共模集成电感及其散磁屏蔽结构有效

专利信息
申请号: 201820034978.3 申请日: 2018-01-09
公开(公告)号: CN207883461U 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 吴雁行;成伟;庞雷宇 申请(专利权)人: 深圳市雅玛西电子有限公司
主分类号: H01F27/24 分类号: H01F27/24;H01F27/34;H01F27/38;H01F17/04
代理公司: 深圳市中智立信知识产权代理有限公司 44427 代理人: 梁韬
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提供了一种差共模集成电感的散磁屏蔽结构。该散磁屏蔽结构,包括磁芯,所述磁芯具有气隙,所述散磁屏蔽结构还包括用于屏蔽由所述气隙泄露出的磁通的散磁屏蔽部,所述散磁屏蔽部与所述磁芯连接,所述气隙的至少一分部的被所述散磁屏蔽部遮挡。本实用新型利可以用磁性材料制成散磁屏蔽部,从而将气隙的位置局部或者整体包裹起来,以阻挡散磁外漏,并使得散磁通过散磁屏蔽部重新回到主磁路上去,解决了现有复合型共模电感技术中的散磁辐射干扰问题。
搜索关键词: 散磁 屏蔽 屏蔽结构 气隙 磁芯 本实用新型 集成电感 共模 磁性材料 辐射干扰 共模电感 整体包裹 主磁路 磁通 外漏 遮挡 分部 泄露 阻挡
【主权项】:
1.一种差共模集成电感的散磁屏蔽结构,其特征在于,包括磁芯,所述磁芯具有气隙,所述散磁屏蔽结构还包括用于屏蔽由所述气隙泄露出的磁通的散磁屏蔽部,所述散磁屏蔽部与所述磁芯连接,所述气隙的至少一分部的被所述散磁屏蔽部遮挡。
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