[实用新型]用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具有效

专利信息
申请号: 201820055008.1 申请日: 2018-01-14
公开(公告)号: CN207760415U 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 杜国杰;薛俊明;高建军;王占英;王燕增;李建杰;代杰 申请(专利权)人: 河北汉盛光电科技有限公司
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;C23C14/35;H01L31/18
代理公司: 衡水市盛博专利事务所 13119 代理人: 李志华
地址: 053000 河北省衡*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 实用新型属于模具技术领域,公开了一种用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具。其主要技术特征为:包括上盖和底托,上盖中部设置有至少一个镂空槽,镂空槽的边沿设置有突出上盖的刀口,上盖的边沿设置有限位凸环,底托中部设置有大小、数量与镂空槽相匹配的底槽,底槽的边沿设置有与刀口相匹配的刀槽,底托的边沿设置有与限位凸环相匹配的限位槽。本实用新型所提供的用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具,解决了漏电问题,节省了刻蚀工艺步骤,消除了工艺不稳定因素。
搜索关键词: 硅基异质结太阳电池 透明电极 镂空槽 底托 上盖 掩膜 制备 模具 匹配 本实用新型 刀口 底槽 刻蚀工艺步骤 模具技术领域 漏电问题 上盖中部 稳定因素 限位凸环 限位槽 刀槽 凸环
【主权项】:
1.用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具,其特征在于:包括上盖和底托,上盖中部设置有至少一个镂空槽,镂空槽的边沿设置有突出上盖的刀口,上盖的边沿设置有限位凸环,底托中部设置有大小、数量与镂空槽相匹配的底槽,底槽的边沿设置有与刀口相匹配的刀槽,底托的边沿设置有与限位凸环相匹配的限位槽。
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