[实用新型]掩膜框架、掩膜组件及蒸镀装置有效
申请号: | 201820068275.2 | 申请日: | 2018-01-16 |
公开(公告)号: | CN207780479U | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 张新建;张健;李冬伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | G03F1/64 | 分类号: | G03F1/64 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供了一种掩膜框架,属于显示技术领域。所述掩膜框架具有用于承载掩膜板的承载面,掩膜框架围成的区域为目标区域,承载面包括用于与掩膜板焊接的第一区域,以及与第一区域不同的第二区域,第二区域的承载面向所述目标区域倾斜。本实用新型解决了掩膜组件中掩膜框架对掩膜板的压力较大,导致掩膜板上较容易出现压痕的问题。本实用新型用于制造掩膜框架。 | ||
搜索关键词: | 掩膜 掩膜板 本实用新型 第二区域 第一区域 目标区域 掩膜组件 承载面 承载 蒸镀装置 压痕 焊接 制造 | ||
【主权项】:
1.一种掩膜框架,其特征在于,所述掩膜框架具有用于承载掩膜板的承载面,所述掩膜框架围成的区域为目标区域,所述承载面包括用于与所述掩膜板焊接的第一区域,以及与所述第一区域不同的第二区域,所述第二区域的所述承载面向所述目标区域倾斜。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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