[实用新型]高电子迁移率二极管和半导体器件有效
| 申请号： | 201820078110.3 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN208189596U | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 全祐哲 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王娜丽;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及高电子迁移率二极管和半导体器件。在一个实施方案中，一种形成HEM二极管的方法可包括形成具有高正向电压的HEM二极管，所述正向电压大于HEMT的栅极至源极阈值电压或P‑N二极管的正向电压中的一者。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 正向电压 半导体器件 电子迁移率 本实用新型 阈值电压 源极 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括具有高正向电压的二极管，所述半导体器件包括：半导体衬底；覆盖在所述半导体衬底的第一部分上面的氮化镓沟道层；在所述氮化镓沟道层上的氮化镓铝载流子供应层，其中在所述氮化镓沟道层与所述氮化镓铝载流子供应层之间的界面附近形成2DEG区域；在所述氮化镓铝载流子供应层的第一部分上的金属阴极；在所述氮化镓铝载流子供应层的第二部分上的第一P型GaN层，其中所述第一P型GaN层与所述金属阴极间隔开第一距离；定位于所述第一P型GaN层与所述金属阴极之间的绝缘体；覆盖在所述第一P型GaN层上面并电连接到所述第一P型GaN层的金属阳极；在所述氮化镓铝载流子供应层上的作为P型氮化镓材料的控制元件，其中所述控制元件电耦接到所述第一P型GaN层，包括在与所述第一P型GaN层相距第二距离处形成所述控制元件，其中所述第二距离小于所述第一距离，并且其中所述控制元件的宽度小于所述第一P型GaN层的宽度。
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