[实用新型]一种集成超低电容大骤回TVS的共模滤波器件

摘要

本实用新型公开了一种集成超低电容大骤回TVS的共模滤波器件，采用芯片集成的设计方法将超低电容且具有大骤回特性的TVS和共模电感有效结合。本实用新型的集成超低电容大骤回TVS的共模滤波器件结构可以有效的将多路TVS和共模滤波器分立方案优化为集成方案，节省50％的面积；共模电感具有较高的共模阻抗，对高速信号线差分通道的共模噪声干扰具有很强的抑制作用，同时，超低电容和大骤回特性的TVS阵列在ESD触发TVS开通时，可以输出更低的钳位电压，对后级IC起到非常好的保护作用，可广泛应用在MIPI，HDMI，MHL，USB等高频信号端口，提高系统的外延抗干扰能力和ESD静电防护水平。

主权项

1.一种集成超低电容大骤回TVS的共模滤波器件，其特征在于，包括P型硅衬底，所述P型硅衬底上生长N型EPI，所述N型EPI上设有N阱掺杂区域和P阱掺杂区域，其中：一组N阱掺杂区和P阱掺杂区相接，且此组N阱掺杂区内进行N+重掺杂和P+重掺杂，此组P阱掺杂区内进行N+掺杂和P+掺杂，构成P‑N‑P‑N的四层三结SCR结构TVS；一组P阱掺杂区内进行N+重掺杂和P+重掺杂，该N+重掺杂和P阱形成降容二极管；所述SCR结构的TVS和所述降容二极管通过第一层金属和第二层金属互联形成保护两路I/O的超低电容TVS阵列，引出两个I/O端口和一个Gnd端口；在第二层金属上覆盖绝缘Polymide层，利用电镀工艺技术形成两层上下对称的Cu线圈，而且两层Cu线圈中间采用Polymide层隔离，第二层Cu线圈上再覆盖一层Polymide层作为Cu线圈的钝化保护；TVS阵列的两个IO端口分别和两层Cu线圈的其中一端连接，并引出PAD作为共模电感的输入端口，两层Cu线圈的另外一端分别引出PAD作为共模电感的输出端口，超低电容TSV阵列的Gnd端口直接引出到Polymide层表面作为器件的Gnd端口。