[实用新型]发光二极管有效
申请号: | 201820090918.3 | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN207489905U | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 栗伟;王绘凝;陈剑斌;林素慧;洪灵愿;许圣贤;彭康伟;张家宏 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/10;H01L33/36 |
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地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种发光二极管。在一些实施例中,该发光二极管包括:发光外延层,自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;第一电极,包括形成于所述第一半导体层之上,并与所述第一半导体层形成电性连接;第二电极,形成于所述第二半导体层之上,并与所述第二半导体层形成电性连接;所述第二电极具有焊盘部和扩展部,其中所述焊盘部与所述第二半导体层之间依次设置有保护层和绝缘层,所述保护层覆盖所述发光外延层的上表面,仅在所述第一电极和第二电极的下方形成一些开口作为导电通道。 | ||
搜索关键词: | 半导体层 发光二极管 第二电极 发光外延层 第一电极 电性连接 保护层 焊盘部 绝缘层 本实用新型 导电通道 依次设置 发光层 扩展部 上表面 开口 覆盖 | ||
【主权项】:
发光二极管,包括:发光外延层,自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;第一电极,形成于所述第一半导体层之上,并与所述第一半导体层形成电性连接;第二电极,形成于所述第二半导体层之上,并与所述第二半导体层形成电性连接;其特征在于:所述第二电极具有焊盘部和扩展部,其中所述焊盘部与所述第二半导体层之间依次设置有保护层和绝缘层,所述保护层覆盖所述发光外延层的上表面,仅在所述第一电极和第二电极的下方形成一些开口作为导电通道。
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