[实用新型]功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板有效
| 申请号： | 201820099044.8 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN207775101U | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 陈科成;王疆瑛;张景基 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板，其特征在于，包括AlN衬底、AlN表面反应层、Cu、Ti、Al膜和Cu箔，所述AlN表面反应层存在于AlN衬底和Cu、Ti、Al膜之间，所述Cu、Ti、Al膜涂敷在AlN表面，所述Cu箔敷接于Cu、Ti、Al膜之上。本实用新型工艺简单，成本低且获得的AlN陶瓷敷铜基板具有热导率高，结合强度大，表面电阻小等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 敷铜 功率电子器件 表面反应层 陶瓷 衬底 基板 本实用新型 表面电阻 热导率 涂敷 | ||
【主权项】：
1.功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板，其特征在于，包括AlN衬底、AlN表面反应层、Cu、Ti、Al膜和Cu箔，所述AlN表面反应层存在于AlN衬底和Cu、Ti、Al膜之间，所述Cu、Ti、Al膜涂敷在AlN表面，所述Cu箔敷接于Cu、Ti、Al膜之上。
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