[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置有效
| 申请号： | 201820100309.1 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN207781617U | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 彭俊林;王东方;王玉亮;刘增利 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置，通过在由金属氧化物半导体材料制备的有源层中掺入氧离子与氢离子，调控有源层的阈值电压。在制备薄膜晶体管时，各子刻蚀阻挡层是采用等离子体增强化学气相沉积工艺分步沉积得到的，以在沉积各子刻蚀阻挡层时选择性的使金属氧化物半导体材料掺入氧离子和氢离子，从而调控金属氧化物半导体材料中掺入氧离子的量和掺入氢离子的量。这样可以在不增加额外的掺杂工艺的情况下，使金属氧化物半导体材料掺入氧离子和氢离子，从而可以降低工艺制备难度，降低制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 氢离子 金属氧化物半导体材料 掺入 氧离子 薄膜晶体管 制备 刻蚀阻挡层 显示面板 显示装置 阵列基板 源层 沉积 等离子体增强化学气相沉积 本实用新型 工艺制备 阈值电压 调控 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的有源层、覆盖所述有源层的刻蚀阻挡层、通过贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔与所述有源层电连接的源漏极；其特征在于，所述刻蚀阻挡层包括层叠设置的至少两层子刻蚀阻挡层，所述有源层包括掺入氧离子和氢离子的金属氧化物半导体材料。
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