[实用新型]一种具有深沟槽的碳化硅超结SBD器件元胞结构有效
| 申请号： | 201820101695.6 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN211480043U | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;黄兴;倪炜江;张敬伟;牛喜平;李明山;徐妙玲;陈欣璐;吕枞;窦娟娟;耿伟;孙安信 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本实用新型公开了一种具有深沟槽的碳化硅超结SBD器件元胞结构，所述元胞结构的N |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 深沟 碳化硅 sbd 器件 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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