[实用新型]一种具有倒T型p-plus区的碳化硅SBD器件元胞结构

摘要

本实用新型公开了一种具有倒T型p‑plus区的碳化硅SBD器件元胞结构，该元胞结构的p‑plus区分为上下两层；下层p‑plus区为二次外延构造的横向P块区阵列，上层p‑plus区为传统的注入工艺构造的纵向P块区阵列，对应位置的横向P块区阵列与纵向P块区阵列相接触形成倒T型的p‑plus区，相邻的倒T型p‑plus区将中间的肖特基区半包裹屏蔽住。本申请通过构造具有倒T型p‑plus区的碳化硅SBD器件元胞结构实现了肖特基区表面电场的减弱与屏蔽；此新型倒T型p‑plus结构会增加一定的正常导通阻抗，但能起到良好的肖特基区电场屏蔽保护作用，能实现较大的肖特基区面积与p‑plus区域面积的比例，增加单位面积的电流密度，同时有效保护肖特基接触区和增强器件的电压浪涌能力。