[实用新型]一种在真空环境下转移大面积二维材料的转移平台有效
申请号: | 201820102682.0 | 申请日: | 2018-01-22 |
公开(公告)号: | CN207938577U | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 包文中;张思梦;昝武;周鹏;张卫 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型属于二维半导体材料领域,具体为一种在真空环境下转移大面积二维材料的转移平台,包括加热台、真空密封箱、Z轴方向真空贯通装置、真空泵、底架、顶架、抽真空阀门、放气阀门和真空计;真空密封箱放置在加热台上,包括真空密封箱顶盖;Z轴方向真空贯通装置的内部包括转轴;Z轴方向真空贯通装置竖直贯穿真空密封箱顶盖;顶架固定在转轴的下端;底架固定在真空密封箱底部的凹槽中,由金属材料制成;抽真空阀门、放气阀门和真空计分别安装在真空密封箱上;抽真空阀门通过接真空泵的管路与真空泵相连。该平台具有转移后材料界面干净、可转移大面积二维材料、不引入杂质、对材料无伤害的特点,有很好的推广和实用价值。 | ||
搜索关键词: | 真空密封箱 抽真空阀门 二维材料 贯通装置 真空泵 放气阀门 真空环境 转移平台 顶盖 真空计 底架 顶架 转轴 本实用新型 二维半导体 金属材料 材料界面 材料领域 真空密封 加热台 可转移 竖直 下端 加热 引入 贯穿 伤害 | ||
【主权项】:
1.一种在真空环境下转移大面积二维材料的转移平台,其特征在于,所述转移平台包括加热台、真空密封箱、Z轴方向真空贯通装置、真空泵、底架、顶架、抽真空阀门、放气阀门和真空计;所述真空密封箱放置在加热台上,所述真空密封箱包括金属材料的底部、耐高温透明材料的侧壁,以及密封顶盖,所述顶盖可打开;所述真空密封箱底部的中心设有凹槽;所述Z轴方向真空贯通装置的内部包括转动Z轴方向真空贯通装置的转轴,所述转轴竖直贯穿Z轴方向真空贯通装置,并延伸出Z轴方向真空贯通装置的上下两端;所述Z轴方向真空贯通装置竖直贯穿真空密封箱顶盖;所述顶架固定在转轴的下端,正对真空密封箱底部的凹槽;所述顶架由表面平整的金属材料制成,顶架下表面有定位用的十字标记;所述底架固定在真空密封箱底部的凹槽中;所述底架由导热性良好的金属材料制成,表面平整,底架上表面有定位用的十字标记;所述抽真空阀门、放气阀门和真空计分别安装在真空密封箱上;所述抽真空阀门通过接真空泵的管路与真空泵相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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