[实用新型]一种等离子激活反应腔室及晶圆键合机台有效
| 申请号： | 201820119330.6 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN207834260U | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 刘洋 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种等离子激活反应腔室及晶圆键合机台，属于半导体制造技术领域，适用于对待键合晶圆的键合面进行活化处理，包括：基座，所述基座上设置有下电极；聚焦环，呈圆环形，所述聚焦环围绕所述下电极设置于所述基座上；所述聚焦环的内侧面上设置有一环形的台阶，待处理的晶圆放置于所述台阶上；所述聚焦环的内侧面上还包括一背向所述聚焦环的中心倾斜的锥面，所述锥面连接所述台阶以及所述聚焦环的上表面。上述技术方案的有益效果是：通过改善聚焦环内侧面与晶圆之间的夹角，以避免晶圆与聚焦环产生碰撞，以解决现有技术中，因晶圆表面活化处理而导致的晶圆报废，以及晶圆键合良率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 聚焦环 晶圆 晶圆键合 机台 反应腔室 活化处理 等离子 下电极 半导体制造技术 激活 锥面 本实用新型 晶圆表面 锥面连接 键合面 上表面 圆环形 键合 良率 报废 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种等离子激活反应腔室，适用于对待键合晶圆的键合面进行活化处理，其特征在于，包括：基座，所述基座上设置有下电极；聚焦环，呈圆环形，所述聚焦环围绕所述下电极设置于所述基座上；所述聚焦环的内侧面上设置有一环形的台阶，待处理的晶圆放置于所述台阶上；所述聚焦环的内侧面上还包括一背向所述聚焦环的中心倾斜的锥面，所述锥面连接所述台阶以及所述聚焦环的上表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820119330.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种固晶机的邦头改进结构
- 下一篇：基板处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
