[实用新型]一种倒置结构的顶发射光电显示器件有效
申请号: | 201820121222.2 | 申请日: | 2018-01-24 |
公开(公告)号: | CN207977316U | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 晋佳佳 | 申请(专利权)人: | 晋佳佳 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽省芜*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型属于光电显示技术领域,具体为一种倒置结构的顶发射光电显示器件,包括衬底,其特征在于:所述衬底上设置有反射电极,反射电极上设置有新型阴极缓冲层,所述的新型阴极缓冲层为三层复合结构,包括第一阴极缓冲层,第二阴极缓冲层和第三阴极缓冲层,第一阴极缓冲层为TiO2,第一阴极缓冲层厚度为30 nm,所述的第二阴极缓冲层设置在第一阴极缓冲层之上,第二阴极缓冲层为Ag,第二阴极缓冲层的厚度为0.3 nm,所述的第三阴极缓冲层设置在第二阴极缓冲层之上,第三阴极缓冲层为BCP,第三阴极缓冲层的厚度为45 nm,所述的新型阴极缓冲层上设置有光发射层,所述的光发射层上设置有阳极缓冲层,阳极缓冲层上设置有透明阳极层。 | ||
搜索关键词: | 阴极缓冲层 光电显示器件 阳极缓冲层 倒置结构 反射电极 光发射层 顶发射 衬底 三层复合结构 本实用新型 透明阳极层 光电显示 | ||
【主权项】:
1.一种倒置结构的顶发射光电显示器件,包括衬底(1),其特征在于:所述衬底(1)上设置有反射电极(2),反射电极(2)上设置有新型阴极缓冲层(3),所述的新型阴极缓冲层(3)为三层复合结构,包括第一阴极缓冲层(301),第二阴极缓冲层(302)和第三阴极缓冲层(303),第一阴极缓冲层(301)为TiO2,第一阴极缓冲层(301)厚度为30 nm,所述的第二阴极缓冲层(302)设置在第一阴极缓冲层(301)之上,第二阴极缓冲层(302)为Ag,第二阴极缓冲层(302)的厚度为0.3 nm,所述的第三阴极缓冲层(303)设置在第二阴极缓冲层(302)之上,第三阴极缓冲层(303)为BCP,第三阴极缓冲层(303)的厚度为45 nm,所述的新型阴极缓冲层(3)上设置有光发射层(4),所述的光发射层(4)上设置有阳极缓冲层(5),阳极缓冲层(5)上设置有透明阳极层(6),所述的透明阳极层(6)为四层结构,包括依次层叠的第一阳极层(601)、第二阳极层(602)、第三阳极层(603)和第四阳极层(604),所述的第一阳极层(601)为MoO3,第一阳极层(601)的厚度为3 nm,所述的第二阳极层(602)设置于第一阳极层(601)之上,所述的第二阳极层(602)为Ag,第二阳极层(602)厚度为12 nm,所述的第三阳极层(603)设置于第二阳极层(602)之上,所述的第三阳极层(603)为WO3,第三阳极层(603)的厚度为18 nm, 所述的第四阳极层(603)设置于第三阳极层(603)之上,所述的第四阳极层(604)为Al2O3,第四阳极层(604)的厚度为5 nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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