[实用新型]紫外发光二极管芯片结构有效
| 申请号： | 201820134105.X | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN208225905U | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 臧雅姝;傅玲珍;江宾;陈功;彭康伟;林素慧;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型的紫外发光二极管芯片结构，芯片的辐射出光波长不大于360nm，芯片至少具有第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层，在第一类型半导体层表面及第一类型半导体层内具有图形化孔洞，图形化孔洞内具有金属反射层，在金属反射层与孔洞之间具有介质层薄膜，提升了产品的亮度，克服了产品的静电问题。 | ||
| 搜索关键词： | 类型半导体 孔洞 紫外发光二极管芯片 金属反射层 图形化 芯片 本实用新型 介质层薄膜 静电问题 光波长 源层 辐射 | ||
【主权项】：
1.紫外发光二极管芯片结构，芯片的辐射出光波长不大于360nm，芯片至少具有第一类型半导体层、第一接触层，有源层、第二类型半导体层，第二接触层，其特征在于：在第一类型半导体层表面及第一类型半导体层内具有图形化孔洞，孔洞的开口直径不大于30μm，图形化孔洞内具有金属反射层，在金属反射层与孔洞之间具有介质层薄膜。
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