[实用新型]紫外发光二极管芯片结构有效
| 申请号： | 201820134607.2 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN208284494U | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 臧雅姝;傅玲珍;江宾;陈功;彭康伟;林素慧;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型的紫外发光二极管芯片结构，芯片的辐射出光波长不大于360nm，芯片至少具有第一类型半导体层、第一接触层，有源层、第二类型半导体层，第二接触层，其特征在于：在第一类型半导体层表面具有图形化孔洞，图形化孔洞内具有金属反射层，金属反射层到有源层的距离不大于50nm。金属反射层表面具有等离激元，利用等离激元提升了产品的亮度，同时克服了外延材料习惯的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 类型半导体 紫外发光二极管芯片 孔洞 金属反射层 等离激元 接触层 图形化 源层 芯片 金属反射层表面 本实用新型 外延材料 光波长 辐射 | ||
【主权项】：
1.紫外发光二极管芯片结构，芯片的辐射出光波长不大于360nm，芯片至少具有第一类型半导体层、第一接触层，有源层、第二类型半导体层，第二接触层，其特征在于：在第一类型半导体层表面具有图形化孔洞，孔洞的开口直径不大于30μm，图形化孔洞内具有金属反射层，金属反射层到有源层的距离不大于50nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门三安光电有限公司，未经厦门三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820134607.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
