[实用新型]一种基于石墨烯和二维半导体的阻抗动态连续可调的同轴馈电结构有效
| 申请号： | 201820141439.X | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN207705391U | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 钱正芳;张文静;张秀文;桂成群;舒国响 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01Q1/50 | 分类号： | H01Q1/50;H01Q21/00;H01P1/202 |
| 代理公司： | 温州市品创专利商标代理事务所(普通合伙) 33247 | 代理人： | 程春生 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及动态连续可调的同轴馈电结构技术领域，具体公开了一种基于石墨烯和二维半导体的阻抗动态连续可调的同轴馈电结构。本实用新型提供的这种同轴馈电结构由石墨烯、二硫化钼等二维导体和二维半导体的单层、双层、或多层组成，包括中间介电结构层。所述同轴馈电结构进一步形成了二极管和场效应晶体管，其特性在于通过外加电场对同轴结构的射频阻抗实现动态连续可调、阻抗匹配、和阻抗重构的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 同轴馈电结构 连续可调 二维半导体 石墨烯 阻抗 场效应晶体管 本实用新型 二极管 二硫化钼 二维导体 射频阻抗 同轴结构 外加电场 中间介电 阻抗匹配 结构层 重构的 单层 多层 申请 | ||
【主权项】：
1.一种基于石墨烯和二维半导体的阻抗动态连续可调的同轴馈电结构，其特征在于，所述同轴馈电结构轴芯为石墨烯层；所述同轴馈电结构还包括与轴芯同轴的二硫化钼层；所述石墨烯层和二硫化钼层之间还包括填充层一；所述同轴馈电结构还包括与轴芯同轴的外壳层；所述外壳层为石墨烯层；所述外壳层与所述二硫化钼层之间还包括填充层二；所述轴芯和外壳层之间施加连续电压。
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