[实用新型]一种紫外LED垂直芯片结构有效
| 申请号： | 201820157154.5 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN208208784U | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 何苗;杨思攀;王润;赵韦人 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;唐京桥 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于紫外LED领域，尤其涉及一种紫外LED垂直芯片结构。本实用新型提供了一种紫外LED垂直芯片结构，包括：依次设置的n型电极、第一衬底、第一外延层和p型电极；所述第一外延层包括依次叠加的缓冲及成核层、AlN/AlGaN超晶格和n型AlGaN层；所述缓冲及成核层与所述第一衬底叠加；所述缓冲及成核层为异质结构的BN层；所述第一衬底为微型纳米图形化蓝宝石衬底。本实用新型通过在微型纳米图形化蓝宝石衬底的表面上叠加了异质结构的BN层，BN材料熔点高、热稳定性好，最大限度地从根源上提高了紫外LED外延层结构中的材料质量以及晶体横向生长的速率、降低了位错密度、有效地缓解了异质衬底与外延层的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 紫外LED 本实用新型 垂直芯片 成核层 外延层 缓冲 纳米图形化 异质结构 蓝宝石 叠加 外延层结构 材料熔点 晶体横向 热稳定性 依次叠加 依次设置 超晶格 有效地 位错 异质 生长 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种紫外LED垂直芯片结构，其特征在于，包括：依次设置的n型电极、第一衬底、第一外延层和p型电极；所述第一外延层包括依次叠加的缓冲及成核层、AlN/AlGaN超晶格和n型AlGaN层；所述缓冲及成核层与所述第一衬底叠加；所述缓冲及成核层为异质结构的BN层；所述第一衬底为微型纳米图形化蓝宝石衬底。
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