[实用新型]一种复合衬底有效
| 申请号： | 201820172023.4 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN208000910U | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 赵中阳 | 申请（专利权）人： | 北京派克贸易有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙) 11226 | 代理人： | 常玉明;张兰海 |
| 地址： | 100000 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种复合衬底，该复合衬底由GaAs衬底(101)与Ge衬底(102)通过键合工艺制备而成，在GaAs衬底(101)与Ge衬底(102)的键合面之间设置有粘结辅助材料层(103)，所述粘结辅助材料层(103)包括一个或多个粘结加固区域(104)，该粘结加固区域(104)包括粘结辅助材料并混合了Ge材料和GaAs材料；本实用新型采用两次键合工艺制备，通过第一键合工艺将GaAs衬底与Ge衬底连接在一起，并通过第二键合工艺结合激光照粘结加固区域(104)，从而进一步加固键合的粘结效果，提高复合衬底的键合可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 键合工艺 粘结加固 复合 粘结 辅助材料层 本实用新型 键合可靠性 辅助材料 工艺制备 粘结效果 键合面 次键 键合 制备 激光 | ||
【主权项】：
1.一种复合衬底，包括：在GaAs衬底的键合表面设置有键合粘结辅助材料层，粘结辅助材料层内包括一个或多个粘结加固区域，该粘结加固区域包括粘结辅助材料并混合了Ge材料和/或GaAs材料；所述复合衬底中的GaAs衬底的键合面和Ge衬底的键合面通过初步键合工艺结合在一起；所述粘结加固区域在第二键合工艺期间被激光加热，经过激光热熔工艺处理所述粘结加固区域中的Ge与GaAs融熔一起，与其上下接触的GaAs衬底和Ge衬底紧密结合在一起。
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